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  • XC1765D-SO8I图
  • 上海振基实业有限公司

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  • XC1765D-SO8I
  • 数量3220 
  • 厂家Xilinx 
  • 封装原厂封装 
  • 批号2016+ 
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  • XC1765D-SO8I图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • XC1765D-SO8I
  • 数量6500000 
  • 厂家赛灵思 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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    XC1765D-SO8I相关文章

配单直通车
XC1765D-SO8I产品参数
型号:XC1765D-SO8I
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:XILINX INC
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77
其他特性:USED FOR STORING THE CONFIGURATION BITSTREAMS OF XILINX FPGAS
最大时钟频率 (fCLK):5 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:4.9 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:CONFIGURATION MEMORY
内存宽度:1
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:8
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:64KX1
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
最大待机电流:0.0015 A
子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.01 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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