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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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产品型号XN0F25600L的概述

芯片XN0F25600L的概述 XN0F25600L是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于各种电子设备中。作为一款现代存储解决方案,XN0F25600L以其高存储容量、快速访问速度和低功耗特性著称,满足了当前对数据快速存取和高效能的需求。 该芯片所采用的先进制造工艺确保了其在高频操作下的稳定性和可靠性,使得它成为游戏机、计算机、智能手机及其他电子消费产品的首选存储解决方案。为了适应不同的应用场景,XN0F25600L的配置和性能参数在不断演变与提升,并随着技术的进步,逐渐形成了丰富的产品线。 芯片XN0F25600L的详细参数 XN0F25600L芯片的核心参数包括存储容量、速度、功耗、工作电压以及封装类型。具体如下: - 存储容量:256MB - 数据传输速率:600MT/s(百万次传输每秒) - 功耗:工作功耗约为1.5W,待机功耗低至0.5W - 工作电压:...
配单直通车
XN0F261产品参数
型号:XN0F261
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-74
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.84
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1
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