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| 型号: | XPC850ZT50B |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, |
| 针数： | 256 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.3 |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.24 |
| 地址总线宽度： | 26 |
| 位大小： | 32 |
| 边界扫描： | YES |
| 最大时钟频率： | 50 MHz |
| 外部数据总线宽度： | 32 |
| 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | YES |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 23 mm |
| 低功率模式： | YES |
| 端子数量： | 256 |
| 最高工作温度： | 95 °C |
| 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.35 mm |
| 速度： | 50 MHz |
| 最大供电电压： | 3.465 V |
| 最小供电电压： | 3.135 V |
| 标称供电电压： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 23 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROPROCESSOR, RISC |
| Base Number Matches： | 1 |
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