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| 型号: | XQR18V04CC44M |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC44,.7SQ |
| 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | USML XV(E) |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.85 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 20 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 10 |
| 耐久性： | 2000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | S-CQCC-J44 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 16.51 mm |
| 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | CONFIGURATION MEMORY |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 |
| 字数： | 512 words |
| 字数代码： | 512 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512X8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC44,.7SQ |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL/SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.826 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总剂量： | 40k Rad(Si) V |
| 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 16.51 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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