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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 厂家FERRAZ/罗兰熔断器 
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  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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  • 400-1585-060 QQ:2885615943
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家Mersen 
  • 封装熔断器 、、、 
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  • 美尔森Amp-trap半导体保护熔断器
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配单直通车
Y2130B1B1产品参数
型号:Y2130B1B1
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:X-XXSS-X
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.77
最小击穿电压:300 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:X-XXSS-X
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:4
相数:1
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:SPECIAL SHAPE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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