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  • YG811S04RF190图
  • 北京首天国际有限公司

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  • 厂家FUJITSU 
  • 封装TO-220 
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  • 百分百原装正品,现货库存
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  • YG811S04R图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • YG811S04R
  • 数量78800 
  • 厂家FUJITSU-富士通 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • YG811S04R图
  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • YG811S04R
  • 数量865000 
  • 厂家富士通FUJITSU 
  • 封装TO-220F 
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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • YG811S04R
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  • 厂家21+ 
  • 封装5000 
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量13250 
  • 厂家FUJITSU/富士通 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 原装现货,当天可交货,原型号开票
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  • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
  • YG811S04R图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • YG811S04R
  • 数量49131 
  • 厂家FUJI 
  • 封装TO220F-2 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • YG811S04R
  • 数量15166 
  • 厂家FUJI 
  • 封装TO220F 
  • 批号2024+ 
  • 原装正品 一手现货 假一赔百
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  • 15873513267 QQ:2881951980
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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • YG811S04R
  • 数量30000 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装TO-220 
  • 批号2022+ 
  • 电子元器件一站式配套服务QQ:122350038
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  • 0755-82812278 QQ:2355878626QQ:2850299242
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  • 深圳市顺兴源微电子商行

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  • YG811S04R
  • 数量9000000 
  • 厂家FUJI 
  • 封装TO220F-2 
  • 批号16+ 
  • 原装现货,低价出售
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  • 0755-82723655 QQ:3475025894QQ:3504055308
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • YG811S04R
  • 数量9800 
  • 厂家富士电机 | Fuji Electric 
  • 封装21+ 
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 房间现货,价格优势。
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • YG811S04RF190图
  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • YG811S04RF190
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  • 厂家原厂品牌 
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产品型号YG811S04R的概述

芯片YG811S04R的概述 YG811S04R是一款功能强大的集成电路芯片,广泛应用于通信、工业自动化、汽车电子等多个领域。该芯片以其高效的性能和多种传感器接口而受到青睐,是现代电子设备中不可或缺的元件之一。YG811S04R的特性使其能够在各种复杂的应用场景中有效工作,提供高精度数据处理和控制功能。 YG811S04R芯片的设计初衷是为了应对当前对数据处理速度和准确性日益增长的需求。它集成了多种功能单元,包括数据采集、信号处理和通信接口,从而简化了整个系统的设计和开发过程。尤其是在物联网(IoT)和智能设备的发展背景下,YG811S04R展现出其重要的应用价值。 芯片YG811S04R的详细参数 YG811S04R的规格参数如下: - 电源电压:3.3V ± 10% - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C - 芯片功耗:最大功耗为200 mW - 处理器架构:ARM Cort...

产品型号YG811S04R的Datasheet PDF文件预览

(40V / 5A )  
YG811S04R (5A)  
Outline drawings, mm  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
+0.2  
-0.1  
4.5±0.2  
10.5±0.5  
ø3.2  
2.7±0.2  
1
2
1.2±0.2  
Features  
Insulated package by fully molding  
0.7±0.2  
0.6±0.2  
2.7±0.2  
Low VF  
5.08±0.4  
Super high speed switching  
High reliability by planer design  
JEDEC  
EIAJ  
SC-67  
Applications  
High speed power switching  
Connection diagram  
Maximum ratings and characteristics  
1
2
Absolute maximum ratings  
Symbol  
VRRM  
VRSM  
Viso  
Io  
Conditions  
Item  
Rating  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Isolating viltage  
40  
48  
1500  
tw=500ns, duty=1/40  
V
Terminals to Case,  
AC. 1min.  
V
Square wave, duty=1/2  
Tc=122°C  
Average output current  
Surge current  
5
A
Sine wave  
10ms  
IFSM  
Tj  
120  
A
-40 to +150  
-40 to +150  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )  
Item  
Unit  
V
Symbol  
VFM  
Max.  
0.55  
5.0  
Conditions  
IFM=5.0A  
Forward voltage drop  
Reverse current  
VR=VRRM  
mA  
°C/W  
IRRM  
Junction to case  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
5.0  
Mechanical Characteristics  
0.3 to 0.5  
2.3  
Recommended torque  
Mounting torque  
Weight  
N·m  
g
(40V / 5A TO-22OF15)  
YG811S04R  
Characteristics  
Reverse Characteristic (typ.)  
Forward Characteristic (typ.)  
2
1
0
100  
10  
10  
10  
Tj=150°C  
Tj=125°C  
Tj=100°C  
10  
Tj=150°C  
Tj=125°C  
Tj=100°C  
Tj=25°C  
-1  
10  
1
Tj=25°C  
-2  
10  
10  
-3  
0.1  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
VR Reverse Voltage (V)  
VF Forward Voltage (V)  
Forward Power Dissipation  
Reverse Power Dissipation  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
Io  
12  
360°  
DC  
λ
VR  
10  
360°  
α
8
Square wave  
λ =60°  
Square wave  
Sine wave  
λ =120°  
λ =180°  
λ =180°  
6
4
2
0
α =180°  
Square wave  
DC  
Per 1element  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
Io Average Forward Current (A)  
VR Reverse Voltage (V)  
Junction Capacitance Characteristic (typ.)  
Current Derating (Io-Tc)  
160  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
DC  
1000  
Sine wave  
λ =180°  
λ =180°  
Square wave  
Square wave  
Square wave  
λ =120°  
360°  
λ =60°  
λ
Io  
VR=30V  
90  
100  
80  
1
10  
100  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Io Average Output Current (A)  
:Conduction angle of forward current for each rectifier element  
VR Reverse Voltage (V)  
λ
Io:Output current of center-tap full wave connection  
YG811S04R  
(40V / 5A TO-22OF15)  
Surge Capability  
1000  
100  
10  
1
10  
100  
Number of Cycles at 50Hz  
Transient Thermal Impedance  
102  
101  
100  
10-1  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
t
Time (sec.)  
配单直通车
YG811S04R产品参数
型号:YG811S04R
生命周期:Active
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
零件包装代码:TO-220AC
包装说明:SC-67, TO-220F15, 2 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.57
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.55 V
JEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:120 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
  •  
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