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  • 集好芯城

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  • 厂家TEMIC 
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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 厂家ST 
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  • 诚信经营,原装现货,假一赔十,欢迎咨询15323859243
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 厂家FERRAZ/罗兰熔断器 
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  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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配单直通车
Z21464-10产品参数
型号:Z21464-10
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:ZIP
包装说明:ZIP, ZIP20,.1
针数:20
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
访问模式:PAGE
最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PZIP-T20
JESD-609代码:e0
长度:26.162 mm
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM
内存宽度:4
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:20
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX4
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP20,.1
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:256
座面最大高度:10.16 mm
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.055 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3 mm
Base Number Matches:1
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