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产品型号ZTX718的概述

芯片ZTX718的概述 ZTX718是一款高性能的NPN小信号晶体管,广泛应用于各种电子线路中,特别是放大器和开关电路。该芯片主要以其高增益、频率响应快和较低的噪声水平而受到工程师和设计师的青睐。ZTX718不但适用于家用电器、音频设备,还能够在工业控制系统中发挥其应有的作用。 ZTX718的工作电流范围和电压特性使其在电路设计中具备极大的灵活性。其封装形式通常为TO-92,便于散热和集成到各种电路中。此芯片具备优良的热稳定性,避免了因温度变化引起的性能波动。 芯片ZTX718的详细参数 ZTX718的主要参数包括: 1. 类型:NPN晶体管 2. 最大集电极电压(Vce):60V 3. 最大集电极电流(Ic):800mA 4. 最大功耗(Ptot):500mW,取决于散热条件 5. 直流电流增益(hFE):在Ic=10mA时,hFE为100到300 6. 工作温度范围:-55℃至+1...

产品型号ZTX718的Datasheet PDF文件预览

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ZTX718  
ISSUE 4– MAY 1998  
FEATURES  
*
*
*
*
6A Peak pulse current  
Excellent hFE characteristics up to 6A (pulsed)  
low saturation voltage  
IC Cont 2.5A  
C
B
E
APPLICATIONS  
*
Power MOSFET gate driver in conjunction with  
complementary ZTX618  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-20  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-20  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-6  
-2.5  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
A
IB  
-500  
mA  
W
W
°C  
Practical Power Dissipation*  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptotp  
Ptot  
1.5  
1
Tj:Tstg  
-55 to +200  
* Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
ZTX718  
ELECTRIAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-20  
-20  
-5  
-65  
-55  
-8.8  
V
IC=-100µA  
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
VCB=-15V  
VEB=-4V  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-100  
-100  
nA  
nA  
nA  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
Collector Emitter  
Cut-Off Current  
ICES  
VCES=-15V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-16  
-130  
-145  
-190  
-40  
-200  
-220  
-260  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=-0.1A, IB=-10mA*  
IC=-1A, IB=-20mA*  
IC=-1.5A, IB=-50mA*  
IC=-2.5A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
VBE(sat)  
-0.98  
-0.85  
-1.1  
V
V
IC=-2.5A, IB=-200mA*  
IC=-2.5A, VCE=-2V*  
Saturation Voltage  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
-0.95  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
hFE  
300  
300  
150  
35  
475  
450  
230  
70  
IC=-10mA, VCE=-2V*  
IC=-100mA, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
IC=-4A, VCE=-2V*  
IC=-6A, VCE=-2V*  
15  
30  
Transition  
Frequency  
fT  
150  
180  
MHz  
IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
Cobo  
t(on)  
t(off)  
21  
30  
pF  
ns  
ns  
VCB=-10V, f=1MHz  
VCC=-10V, IC=-1A  
40  
I
B1=IB2=20mA  
Turn-Off Time  
670  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
ZTX718  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.6  
IC/IB=10  
25°C  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
IC/IB=50  
IC/IB=30  
IC/IB=10  
100°C  
25°C  
-55°C  
10mA  
100mA  
1A  
10A  
10A  
10A  
10mA  
100mA  
1A  
10A  
10A  
100V  
1mA  
1mA  
IC-Collector Current  
IC-Collector Current  
VCE(sat) v IC  
VCE(sat) v IC  
VCE=2V  
100°C  
25°C  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
IC/IB=10  
450  
-55°C  
25°C  
-55°C  
100°C  
225  
0
1mA  
10mA  
100mA  
1A  
1mA  
10mA  
100mA  
1A  
IC-Collector Current  
IC-Collector Current  
VBE(sat) v Ic  
hFE v IC  
Single Pulse Test Tamb=25C  
10  
1
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
VCE=2V  
-55°C  
25°C  
DC  
1s  
100ms  
10ms  
1ms  
100us  
100°C  
0.1  
0.01  
0.1V  
1mA  
10mA  
100mA  
1A  
1V  
10V  
IC-Collector Current  
VCE - Collector Voltage  
VBE(on) v IC  
Safe Operating Area  
ZTX718  
THERMAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
MAX.  
UNIT  
Thermal Resistance:  
Junction to Ambient1  
Junction to Ambient2  
Rth(j-amb)1  
Rth(j-amb)2  
175  
116  
°C/W  
°C/W  
† Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
1.0  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
D=1(D.C.)  
t1  
0.75  
0.50  
0.25  
D=t1  
tP  
tP  
D=0.5  
D=0.2  
D=0.1  
D=0.05  
60  
40  
Single Pulse  
20  
0
-40  
0.1ms  
1ms 10ms 100ms  
1s  
10s  
100s  
0
40  
80  
120  
160  
200  
Pulse Width  
T -Temperature  
(° C)  
Transient Thermal Resistance  
Derating curve  
Zetex plc.  
Fields New Road, Chadderton, Oldham, OL9-8NP, United Kingdom.  
Telephone: (44)161 622 4422 (Sales), (44)161 622 4444 (General Enquiries)  
Fax: (44)161 622 4420  
Zetex GmbH  
Zetex Inc.  
Zetex (Asia) Ltd.  
3510 Metroplaza, Tower 2  
Hing Fong Road,  
Kwai Fong, Hong Kong  
Telephone:(852) 26100 611  
Fax: (852) 24250 494  
These are supported by  
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major countries world-wide  
Zetex plc 1998  
Streitfeldstraße 19  
D-81673 München  
Germany  
Telefon: (49) 89 45 49 49 0  
Fax: (49) 89 45 49 49 49  
47 Mall Drive, Unit 4  
Commack NY 11725  
USA  
Telephone: (516) 543-7100  
Fax: (516) 864-7630  
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services concerned. The Company reserves the right to alter without notice the specification, design, price or conditions of supply of any  
product or service.  
配单直通车
ZTX718产品参数
型号:ZTX718
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ZETEX PLC
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.37
最大集电极电流 (IC):2.5 A
集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-PSIP-W3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1
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