ZTX956STOA原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能-中国IC网-芯三七

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首天国际（深圳）科技有限公司
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深圳市中利达电子科技有限公司
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深圳市芯福林电子有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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北京首天国际有限公司
ZTX956STOA

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百分百原装正品，现货库存
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万三科技(深圳)有限公司
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数量660000
厂家Diodes Inc
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深圳市婷轩实业有限公司
ZTX956STOA

数量5000
厂家Diodes Incorporated
封装E-Line（TO-92 兼容）
批号23+
进口原装现货热卖
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深圳市华芯盛世科技有限公司
ZTX956STOA

数量865000
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深圳市楷兴电子科技有限公司
ZTX956STOA

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封装原厂封装
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深圳市一线半导体有限公司
ZTX956STOA

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厂家原厂品牌
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 3 JUNE 94

ZTX956

FEATURES

2 Amps continuous current

Up to 5 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain characteristics up to 2 Amps

Spice model available

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-220

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-200

-6

Peak Pulse Current

-5

-2

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_totp

P_tot

1.58

°C

1.2

T_j:T_stg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-220

-200

-6

-300

-240

-8

I_C=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=-1µA, RB ≤1KΩ

I_C=-10mA*

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-50

-1

µA

V_CB=-200V

V_CB=-200V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

-50

-1

µA

V_CB=-200V

V_CB=-200V, T_amb=100°C

I_EBO

-10

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-30

-110

-150

-50

-150

-250

I_C=-100mA, I_B=-10mA*

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-2A, I_B=-400mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-920

-1050 mV

I_C=-2A, I_B=-400mA

3-324

ZTX956

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

-770

-900

IC=-2A, V_CE=-5V*

Static Forward

Current Transfer Ratio

h_FE

100

200

150

I_C=-10mA, V_CE=-5V*

I_C=-1A, V_CE=-5V*

I_C=-2A, V_CE=-5V*

I_C=-5A, V_CE=-5V*

300

Transition Frequency

f_T

110

MHz

I_C=-100mA, V_CE=-10V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

V_CB=-20V, f=1MHz

t_on

t_off

1140

I_C=-1A, I_B1=-100mA

I_B2=100mA, V_CC=-50V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance: Junction to Ambient

Junction to Case

R_th(j-amb)

R_th(j-case)

150

°C/W

4.0

3.0

2.0

1.0

D.C.

150

D=t

1/tP

100

t_P

D=0.6

D=0.2

D=0.1

D=0.05

Single Pulse

-40 -20

0.0001 0.001

0.01

0.1

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-325

ZTX956

TYPICAL CHARACTERISTICS

I_C/I_B=5

-55°C

+25°C

+175°C

I^C/I^B=5

I^C/I^B=20

T^amb=25°C

1.6

1.4

1.2

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.01

0.1

10 20

0.01

0.1

10 20

I^C- Collector Current (Amps)

VCE(sat) v IC

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

+100°C

+25°C

-55°C

V_CE=5V

I^C/I^B=10

1.6

1.4

1.2

300

200

100

1.4

1.2

1.0

0.8

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.6

0.4

0.2

0.01

0.1

10 20

0.01

0.1

10 20

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

v I

Single Pulse Test at T^amb=25°C

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

V^CE=5V

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

D.C.

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

0.1

0.01

0.1

10 20

0.01

100

1000

IC - Collector Current (Amps)

BE(on)

VCE - Collector Voltage (Volts)

v I

Safe Operating Area

3-326

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ZTX956STOA产品参数

型号:	ZTX956STOA
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12
最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

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