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品牌:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 240mA(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89-3
制造商:Diodes Incorporated
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.65nC @ 10V
Vgs(最大值):±40V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):72pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT-89-3
封装/外壳:TO-243AA
标准包装:1,000
其它名称:ZVN4525ZTR
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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