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ZVNL110A产品参数
型号:ZVNL110A
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:0.6
其他特性:LOW THRESHOLD
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.32 A
最大漏极电流 (ID):0.32 A
最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):8 pF
JESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.7 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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