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ZVNL120A产品参数和技术文档

ZVNL120A产品图

ZVNL120A产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
0.90000
$0.90
10
0.78500
$7.85
100
0.60550
$60.55
500
0.44850
$224.25
1,000
0.35880
$358.80

ZVNL120A产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3

详细描述:通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:散装

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10 欧姆 @ 250mA,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):85pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):700mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-92-3

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

标准包装:4,000

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