ZXMHC3A01T8TA产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.7A, 2A 1.3W Surface Mount SM8

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A，2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：190pF @ 25V

功率 - 最大值：1.3W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-223-8

供应商器件封装：SM8

基本零件编号：ZXMHC3A01T8

标准包装：1,000

其它名称：ZXMHC3A01T8TA-ND ZXMHC3A01T8TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）