ZXMN10A08E6TA产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：405pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-26

封装/外壳：SOT-23-6

标准包装：3,000

其它名称：ZXMN10A08E6TR