ZXMN10A11KTC产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-2

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：Digi-Key 停产

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 2.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：274pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.11W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252-2

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：1

其它名称：ZXMN10A11KTCDICT