ZXMN2F30FHTA产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.1A（Ta） 960mW（Ta） SOT-23-3

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 2.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：452pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：960mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23-3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：ZXMN2F30FHTR