ZXMN3A04DN8TA产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SOP

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 12.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：36.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1890pF @ 15V

功率 - 最大值：1.81W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

标准包装：500

其它名称：ZXMN3A04DN8TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）