ZXMN6A11GTA产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：330pF @ 40V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

标准包装：1,000

其它名称：ZXMN6A11GTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）