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ZXMP10A18GTA产品参数和技术文档

ZXMP10A18GTA产品图

ZXMP10A18GTA产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,000
0.88378
$883.78

ZXMP10A18GTA产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 2.6A(Ta) 2W(Ta) SOT-223

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):26.9nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1055pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-223

封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA

标准包装:1,000

其它名称:ZXMP10A18GTR

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