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品牌:Diodes Incorporated
描述:MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 2.6A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
制造商:Diodes Incorporated
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):26.9nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1055pF @ 50V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT-223
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
标准包装:1,000
其它名称:ZXMP10A18GTR
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