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ZXTD1M832TA产品参数
型号:ZXTD1M832TA
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:FLATPACK, R-PQFP-F10
针数:10
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.36
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):45
JESD-30 代码:R-PQFP-F10
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:10
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHz
Base Number Matches:1
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