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    AP4412GM 参数 Datasheet PDF下载

    AP4412GM图片预览
    型号： AP4412GM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 68 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP4412GM的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP4412GM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP4412GM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP4412GM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP4412GM的Datasheet PDF文件第6页  
    AP4412GM
    16
    f=1.0MHz
    1000
    14
    I
    D
    =7A
    V
    DS
    =16V
    V
    GS
    , Gate to Source Voltage (V)
    12
    Ciss
    10
    Coss
    8
    C (pF)
    100
    Crss
    6
    4
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    10
    1
    5
    9
    13
    17
    21
    25
    29
    Q
    G
    , Total Gate Charge (nC)
    V
    DS
    (V)
    Fig 9. Gate Charge Characteristics
    Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
    100
    3
    10
    2
    Tj=150
    o
    C
    1
    Tj=25
    o
    C
    V
    GS(th)
    (V)
    1
    0
    -50
    I
    S
    (A)
    0.1
    0.1
    0.3
    0.5
    0.7
    0.9
    1.1
    1.3
    1.5
    0
    50
    100
    150
    V
    SD
    (V)
    T
    j
    , Junction Temperature (
    o
    C )
    Fig 11. Forward Characteristic of
    Reverse Diode
    Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
    Junction Temperature
    5/6

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