AP01L60J 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP01L60J
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	4 页 / 64 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP01L60H/J

1000

f=1.0MHz

，门源电压（ V）

=1A

=480V

100

国际空间站

C（ pF）的

OSS

RSS

1.5

4.5

，总栅极电荷（ NC）

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

0.2

10us

(A)

0.1

0.05

100us

0.1

0.02

1ms

0.01

=25

单脉冲

0.01

100

单脉冲

10ms

100ms

1000

10000

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJC

+ T

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

90%

10V

10%

D（上）

D（关闭）

收费

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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