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AP09N90CW-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP09N90CW-HF图片预览
型号: AP09N90CW-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 65 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP09N90CW-HF
15
10000
f=1.0MHz
I
D
=7.2A
V
GS
,门源电压( V)
12
9
V
DS
=180V
V
DS
=360V
V
DS
=540V
C( pF)的
西塞
1000
6
100
科斯
3
CRSS
0
0
20
40
60
80
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
DUTY=0.5
10
0.2
I
D
(A)
100us
1ms
0.1
0.1
0.05
1
10ms
100ms
T
c
=25
o
C
单脉冲
DC
100
1000
10000
P
DM
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4