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AP18P10GH 参数 Datasheet PDF下载

AP18P10GH图片预览
型号: AP18P10GH
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 180 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP18P10GH/J
f=1.0MHz
15
10000
-V
GS
,门源电压( V)
12
V
DS
= - 80 V
I
D
= -8A
9
C
国际空间站
1000
6
100
C( pF)的
C
OSS
C
RSS
3
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
100us
0.2
0.1
-I
D
(A)
0.1
1ms
1
0.05
P
DM
t
0.02
T
C
=25
o
C
单脉冲
0
0.1
1
10
10ms
100ms
DC
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.01
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
15
V
DS
= -5V
12.5
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
V
G
Q
G
-I
D
,漏电流( A)
10
-4.5V
Q
GS
Q
GD
7.5
5
2.5
收费
0
0
2
4
6
Q
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4