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AP20N15AGP-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP20N15AGP-HF图片预览
型号: AP20N15AGP-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 101 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20N15AGP-HF
10
2400
f=1.0MHz
I
D
=14A
V
DS
=120V
8
2000
V
GS
,门源电压( V)
1600
6
C
国际空间站
C( pF)的
4
2
1200
800
400
C
OSS
C
RSS
1
5
9
13
17
21
25
29
0
0
10
20
30
40
0
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
操作在此
面积受限
R
DS ( ON)
占空比系数= 0.5
100us
I
D
(A)
10
0.2
1ms
10ms
100ms
DC
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
0.05
P
DM
1
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
32
V
G
I
D
,漏电流( A)
24
Q
G
4.5V
16
Q
GS
Q
GD
8
收费
0
25
50
75
100
125
150
Q
T
C
,外壳温度(
o
C)
图11.最大连续漏极电流
V.S.外壳温度
图12.栅极电荷波形
4