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AP4525GEM 参数 Datasheet PDF下载

AP4525GEM图片预览
型号: AP4525GEM
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 118 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4525GEM
N沟道
30
30
T
A
= 25
o
C
I
D
,漏电流( A)
20
I
D
,漏电流( A)
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
T
A
= 150
o
C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
20
10
10
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
120
I
D
=4A
100
T
A
=25 C
归一化ř
DS ( ON)
o
I
D
=6A
V
G
=10V
1.6
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
80
60
1.2
40
20
2
4
6
8
10
0.8
25
50
75
100
125
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
10
8
归V
GS ( TH)
(V)
1.2
I
S
(A)
6
T
j
=150
o
C
4
T
j
=25
o
C
0.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4/7