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AP60T03GJ 参数 Datasheet PDF下载

AP60T03GJ图片预览
型号: AP60T03GJ
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 170 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP60T03GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
25
-
-
-
12
4
7
10
9
58
18
6
200
135
1.4
MAX 。单位
-
-
12
25
3
-
1
250
±100
20
-
-
16
-
-
-
-
-
-
2.1
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=15A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=10A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=20A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DD
=15V,V
GS
=0V
V
DS
=15V
I
D
=20A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
2
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
输出充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
漏极 - 源极漏电流(T
j
=175
o
C)
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
1135 1820
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 45A ,V
GS
=0V
I
S
= 20A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/µs
分钟。
-
-
-
典型值。
-
24
16
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
2