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AP60T03GJ 参数 Datasheet PDF下载

AP60T03GJ图片预览
型号: AP60T03GJ
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 170 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP60T03GH/J
12
10000
f=1.0MHz
I
D
=20A
V
GS
,门源电压( V)
9
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=20V
C( pF)的
1000
6
C
国际空间站
3
C
OSS
C
RSS
0
100
0
6
12
18
24
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应(R
thJC
)
占空比= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
10
1ms
T
C
=25 C
单脉冲
o
t
T
10ms
100ms
DC
1
10
100
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
0.01
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4