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AP9435GH 参数 Datasheet PDF下载

AP9435GH图片预览
型号: AP9435GH
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 180 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP9435GH/J
f=1.0MHz
12
1000
-V
GS
,门源电压( V)
10
I
D
=-10A
V
DS
=-24V
西塞
8
6
C( pF)的
100
科斯
CRSS
4
2
0
0
4
8
12
16
20
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
0.2
-I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
1
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
o
1ms
10ms
100ms
DC
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4