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AP9926GO 参数 Datasheet PDF下载

AP9926GO图片预览
型号: AP9926GO
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 83 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP9926GO
25
25
20
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
I
D
,漏电流( A)
20
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
I
D
,漏电流( A)
15
2.5V
15
2.5V
10
10
V
GS
=2.0V
5
5
V
GS
=2.0V
T
C
=25
o
C
T
C
=150
o
C
0
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
45
1.8
I
D
= 4A
T
C
=25 C
40
I
D
= 4A
1.6
o
V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
35
归一化ř
DS ( ON)
1.4
1.2
30
1.0
25
0.8
20
1
2
3
4
5
6
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温