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AP9930M 参数 Datasheet PDF下载

AP9930M图片预览
型号: AP9930M
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内容描述: 2N和2P沟道增强 [2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP9930M
P沟道
14
10000
f=1.0MHz
12
-V
GS
,门源电压( V)
I
D
=-5A
V
DS
=-15V
1000
10
8
C( pF)的
西塞
科斯
CRSS
100
6
4
2
0
10
0
2
4
6
8
10
12
14
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
DUTY=0.5
归热响应(R
thJA
)
0.2
10
1ms
10ms
-I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
100ms
1s
0.1
0.02
0.01
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja = 135 ℃ / W
0.01
单脉冲
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形