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AP9971GD 参数 Datasheet PDF下载

AP9971GD图片预览
型号: AP9971GD
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 168 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP9971GD
35
35
T
A
=25 C
30
o
I
D
,漏电流( A)
25
I
D
,漏电流( A)
10V
6.0V
4.5V
30
T
A
=150 C
o
25
10V
6.0V
4.5V
20
20
15
15
10
V
G
=3.0V
10
V
G
=3.0V
5
5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
52
2.0
I
D
=5A
48
I
D
=5A
1.6
T
A
=25
o
C
归一化ř
DS ( ON)
V
G
=10V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
44
1.2
40
0.8
36
0.4
32
3
5
7
9
11
0.0
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.4
100
2
10
V
GS ( TH)
(V)
1.3
1.5
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
1
T
j
=25
o
C
1.6
1.2
0.1
0.8
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3