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AP9971GD 参数 Datasheet PDF下载

AP9971GD图片预览
型号: AP9971GD
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 168 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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先进的电力电子股份有限公司。
封装外形: PDIP - 8
符号
MILLIMETERS
最大
A
A1
E
3.60
0.38
2.90
0.36
1.10
0.76
0.20
9.00
6.10
7.62
8.30
3.18
4.50
----
3.95
0.46
1.45
0.98
0.28
9.60
6.65
7.94
9.65
2.540 BSC
----
5.40
----
5.00
0.56
1.80
1.20
0.36
10.20
7.20
8.26
11.00
----
A
D
B2
A2
A1
L
A2
B
B1
B2
C
D
E
E1
B
E1
B1
e
E2
e
L
C
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
E2
  
最热资讯&包装: PDIP - 8
9971GD
YWWSSS
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
低电压MOSFET只
日期代码( YWWSSS )
Y:最后一位的年
WW :周
SSS :序
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