AAT3221IGV-2.3-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AAT3221IGV-2.3-T1
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内容描述：	150毫安纳安级™ LDO线性稳压器 [150mA NanoPower⑩ LDO Linear Regulator]
分类和应用：	稳压器光电二极管
文件页数/大小：	18 页 / 190 K
品牌：	AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]

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AAT3221/2

150毫安纳安级™ LDO线性稳压器

应用信息

以确保最大可能的性能

从AAT3221 / 2被获得，请参考

下面的应用程序的建议。

所需的总输出电容量可以CAL-

使用下面的公式culated ：

OUT

其中：

∆I

=在输出电流最大步

∆V

=电压最大偏移负载

可以忍受

注意，使用该方程的结果在电容器

值大约两到四倍的典型

在室温温度所需的AAT3221 / 2值

真实存在。增加的电容值是推荐使用

ED如果严格的输出容限必须保持在

极端的工作条件和最大操作

tional温度漂移。如果钽电容或alu-

minum使用电解电容器，所述电容器

值应增大，以补偿

大量的ESR固有的这些电容类型。

∆I

× 15µF

∆V

输入电容

一个1μF或更大的电容，通常推荐

对于C

在大多数应用中。 A C

电容不

要求基本的LDO稳压器的操作。

然而，如果AAT3221 / 2的物理位置的任何

距离从多于一个或2厘米

输入电源，一个C

电容器将需要

对于稳定的操作。 ç

应位于

密切设备V

引脚的实际可能。

值大于1μF将提供优越的输入

线路瞬态响应，并协助最大化

电源纹波抑制比。

陶瓷，钽和铝电解质capac-

itors可以选择对C

，因为没有specif-

IC电容的ESR的要求。对于150毫安LDO

调节器的输出操作，陶瓷电容

建议对C

由于其固有的capabil-

性比钽电容能承受的输入电流

低阻抗源，如租金激增

电池在便携式设备。

电容特性

陶瓷电容组成的强烈建

谁料超过所有其他类型的电容器用

与AAT3221 / 2 。陶瓷电容器提供

在他们的钽和alu-很多优势

minum电解同行。陶瓷capac-

itor通常具有非常低的ESR ，是成本较低，具有

更小的PCB占位面积，以及非偏振光。线

并加载LDO稳压器的瞬态响应

通过使用低ESR的陶瓷电容器的改进。

由于陶瓷电容无极性，他们

是不容易损坏，如果连接不正确。

等效串联电阻（ESR ）：

ESR是

非常重要的特性时，需要考虑

选择的电容器。 ESR是内部串联

与电容器，电阻相关联而

包括引线电阻，内部连接，

电容器的尺寸和面积，物质组成，并

环境温度。通常情况下，电容的ESR是

在毫欧的陶瓷电容器和测量

范围可以超过几欧姆钽

或铝电解电容器。

陶瓷电容器材料：

陶瓷电容器

小于0.1μF典型地由NPO或C0G制成

材料。 NPO和C0G材料通常是紧

宽容和过温度很稳定。较大

电容值通常由X7R的，

X5R ， Z5U ， Y5V和介电材料。大

输出电容

对于适当的负载电压调节和操作

稳定性，需要销V之间的电容器

OUT

和GND 。了C

OUT

电容器连接到

LDO稳压器接地引脚应直接

作为实际可能的最大器件per-

性能。该AAT3221 / 2已经专门

设计具有非常低ESR陶瓷功能

电容器。虽然该装置的目的是能操作

吃这些低ESR电容，它是稳定的

广泛电容的ESR ，因此它也将工作

一些高ESR的钽电容和铝elec-

trolytic电容。但是，为了获得最佳性能，

建议使用陶瓷电容。

C的值

OUT

通常范围为0.47μF到

10μF ;然而， 1μF足以用于大多数操作系统

条件。

如果需要用大输出电流的步骤

应用程序，则增加对C值

OUT

应予以考虑。电容的大小

有需要可以从的步长来计算

变化的输出负载电流预期和

电压偏移，负载可以容忍。

3221.2005.12.1.11

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