AAT3221IGV-2.3-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AAT3221IGV-2.3-T1
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内容描述：	150毫安纳安级™ LDO线性稳压器 [150mA NanoPower⑩ LDO Linear Regulator]
分类和应用：	稳压器光电二极管
文件页数/大小：	18 页 / 190 K
品牌：	AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]

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AAT3221/2

150毫安纳安级™ LDO线性稳压器

陶瓷电容器，通常大于2.2μF以上，是

常在低成本Y5V和Z5U电介质可用。

这两种类型的材料不建议

由于电容公差与LDO稳压器使用

可以通过操作而变化超过± 50％ temper-

ATURE范围的装置。一个2.2μF电容Y5V

可以减少到1μF ，在整个工作温

温度范围内。这可能会导致电路问题

运行和稳定性。 X7R和X5R电介质的

更可取的。温度耐受性

X7R电介质比± 15 ％为佳。

电容方面是另一个贡献者ESR 。

电容在物理尺寸大将对

一个较低的ESR相比，较小尺寸的

等效材料和电容的电容

值。这些较大的器件也可以提高税务局局长

时相比，同等CUIT瞬态响应

值电容更小的封装尺寸。

当仔细咨询电容器供应商数据表

选择电容器用LDO稳压器的使用。

将快速增长。一旦监管机构的权力

散热能力已经超过，

内部芯片温度达到约

140℃下，该系统的热保护电路将

变得活跃。内部热保护税务局局长

CUIT将积极关断LDO稳压器的输出

传递装置，以防止过温的可能性

perature伤害。 LDO稳压器的输出会

仍然处于关机状态，直到内部芯片

温度降低到低于140 ℃的触发点。

短路和热敏之间的相互作用

MAL保护系统允许LDO稳压器

承受无限期短路条件下不

维持永久性的损害。

空载稳定性

该AAT3221 / 2的目的是维持输出电压

在操作NO-岁调控和稳定

负载条件。这是一个重要的特性

的应用场合，输出电流可能下降

到零。输出电容器所需的稳定性

在空载运行条件。参阅

本资料的输出电容考量部分

输稿推荐的典型输出电容

值。

使能功能

该AAT3221 / 2提供一个LDO稳压器启用/

禁用功能。该引脚（ EN）与兼容

CMOS逻辑。高有效或低有效选项

可用（请参阅订购信息）。为一个逻辑

高信号时，将EN控制电平必须大于

超过2.4伏。逻辑低电平信号置位时，

在EN管脚上的电压低于0.6伏。为

例如，活性高版本AAT3221 / 2意志

转时，逻辑高被施加到EN引脚上。

如果使能功能，不需要在一个特定

应用程序，它可以被连接到各自的电压

水平保持LDO稳压器在连续

状态;例如，主动高版本AAT3221 / 2

将配合V

为EN留在。

散热注意事项和高

输出电流的应用

该AAT3221 / 2是旨在提供一个连续

150mA电流下正常operat-输出负载电流

荷兰国际集团的条件。为的极限特性

最大输出负载的安全工作区是埃森

tially封装功耗和内部预

设置设备的热限制。为了得到高

工作电流，细心的设备布局和电路

操作条件需要被考虑在内。

下面的讨论将承担LDO稳压

软件模拟器是安装在利用印刷电路板上的

推荐的最小尺寸和打印纸上

ED电路板是0.062英寸厚的FR4材料

含铜一盎司。

在任何给定的环境温度（T

），马克西

妈妈包的功耗，可以决定

开采由下面的等式：

D（最大）

= [T

J（下最大）

- T

] /

常量为AAT3221 / 2为T

J（下最大）

中，马克西 -

妈妈结温的量是该装置

125 ° C和

= 150 ° C / W ，封装的热

性。通常情况下，最大的条件是校准 -

短路保护和热

保护

该AAT3221 / 2是由两个电流限制保护

和过热保护电路。该

内部短路电流限制被设计为爱科特

当输出负载需求超过瓦泰岛

最大额定输出。如果短路条件

要不断吸引超过电流限制

阈值时，该LDO稳压器的输出电压

下降到需要提供的电流的电平

由负载要求。下短路或其他

过电流工作条件下，输出电压

年龄将下降和AAT3221 / 2模温

3221.2005.12.1.11

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