AAT3215IGV-2.7-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AAT3215IGV-2.7-T1
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内容描述：	150毫安CMOS高性能LDO [150mA CMOS High Performance LDO]
分类和应用：
文件页数/大小：	18 页 / 343 K
品牌：	AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]

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150毫安CMOS高性能LDO

足迹，并且是非偏振光。线路和负载转录

LDO稳压器的过性反应是由改善

使用低ESR的陶瓷电容。由于陶瓷

电容器是非偏振光，它们不容易出现

不正确的连接损坏。

等效串联电阻：

ESR是一个非常

重要的特性选择时要考虑的

电容。 ESR是内部串联电阻阿索

ciated一个电容，包括导线电阻，

内部连接，尺寸和面积，材料康波

习得和环境温度。通常情况下，电容

ESR的单位是毫欧的陶瓷电容器

和范围可以超过几欧姆tanta-

LUM或铝电解电容。

陶瓷电容器材料：

陶瓷电容

器小于0.1μF典型地由NPO制成

或C0G材料。 NPO和C0G材料gener-

盟友有严格的公差和超过十分稳定

温度。更大的电容值通常

X7R ， X5R ， Z5U ， Y5V或电介质的组成

材料。大的陶瓷电容器（即，更大的

大于2.2μF ）常常在低成本Y5V提供

Z5U电介质。这两种类型的材料都没有

推荐使用，因为LDO稳压器的使用

该电容的容差可以改变超过± 50 ％

在装置的工作温度范围。

一个2.2μF电容Y5V可以减少到1μF

温度过高;这可能会导致对税务局局长问题

CUIT操作。 X7R和X5R电介质是多少

更可取的。 X7R的温度耐受性

介电比± 15 ％为佳。

电容方面是另一个贡献者ESR 。

电容在物理尺寸大将对

一个较低的ESR相比，较小尺寸的

的等效材料和容量电容器

值。这些较大的设备可以提高电路的转录

相比于同等价值过性反应

电容器在更小的封装尺寸。

仔细咨询电容器供应商数据表

选择电容的LDO稳压器时。

年龄对EN引脚低于0.6伏。如果

使能功能，不需要在特定的应用

化，其可以连接到V

保持LDO稳压

TOR在连续的状态。

当LDO稳压器在关断模式下，

内部1.5kΩ电阻连接V之间

OUT

和GND 。这是为了排出Ç

OUT

当

LDO稳压器被禁用。内部的1.5kΩ

对设备的开启时间没有不利的影响。

AAT3215

短路保护

该AAT3215包含一个内部短路亲

tection电路将触发时，输出负载

电流超过内部阈值限制。下

短路条件下， LDO的输出稳压

软件模拟器将电流限制到短路

条件从输出或LDO稳压除去

荡器封装的功耗超过了

设备热限制。

热保护

该AAT3215有一个内部热保护税务局局长

CUIT这将打开时，该设备死亡temper-

ATURE超过150℃ 。内部热保护

化电路将积极关断LDO稳压器

输出传递装置，防止过度的可能性

冷害。 LDO稳压器的输出

仍将处于关机状态，直到内部芯片

温度降低到低于150 ℃的触发点。

短期之间的结合和相互作用

电路及热保护系统，使

LDO稳压器可承受无限期短路

条件而不遭受永久性损坏。

空载稳定性

该AAT3215是专为保持输出电压

在操作NO-岁调控和稳定

负载条件。这是一个重要的特性

的应用场合，输出电流可能下降

到零。

使能功能

该AAT3215提供一个LDO稳压器，启用/

禁用功能。该引脚（ EN ）为高电平有效，是

与CMOS逻辑兼容。为了保证LDO

监管机构将切换时， EN接通控制水平

必须大于2.0V 。该LDO稳压器

进入禁止关断模式时，电压

反向输出至输入电压

条件和保护

正常工作条件下，寄生

的输出和输入之间存在二极管

LDO稳压器。输入电压要始终

仍大于输出负载电压， main-

3215.2006.05.1.6

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