150毫安CMOS高性能LDO
因此， AAT3215可以维持一个恒定的2.5V输出
摆在150毫安负载电流，只要V
IN
is
≤
6.00V
在25 ℃的环境温度下进行。 6.0V是
绝对最大电压凡AAT3215
永远不会被操作，从而在25℃下，该设备
不会有任何热问题或操作
V
IN （MAX）
极限。
这种情况可以是在85℃下不同。在后续
ING是一个AAT3215为2.5V树立了榜样
输出，在85 ℃下的
电压降（V）的
AAT3215
对于150mA的输出电流和2.7V下降
横跨AAT3215在环境温度
85 ℃时，最大导通时间占空比的
设备将是85.54 ％ 。
曲线的下面显示家庭安全能操作
阿婷面积从环境税，循环操作
室温至最高工作水平。
器件的占空比与V
降
(V
OUT
= 2.5V @ 25°C ）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
OUT
I
OUT
I
GND
= 2.5V
= 150毫安
= 150µA
200mA
V
IN （MAX）
=
211mW + （ 2.5V
·
150mA)
150毫安+ 150μA
V
IN （MAX）
= 3.90V
从上面的讨论，磷
D（最大）
为阻止 -
开采等于211mW在T
A
= 85°C.
更高的输入至输出电压差可以
与AAT3215获得，同时保持设备
热安全工作范围内的功能。对
实现此目的，该设备的热阻必须
通过提高散热区或通过减小
工作在占空比循环模式的LDO稳压器。
例如，一个应用程序需要V
IN
= 4.2V
而V
OUT
= 2.5V在负载150毫安和T
A
= 85°C.
V
IN
大于3.90V ，这是最大
安全连续输入电平为V
OUT
= 2.5V时
150毫安对于T
A
= 85°C 。为了维持这种高投入
电压和输出电流的电平，LDO调节器
必须在一个占空比循环模式进行操作。请参阅
下面的计算占空比工作：
I
GND
= 150µA
I
OUT
= 150毫安
V
IN
= 4.2V
V
OUT
= 2.5V
占空比（ ％ ）
器件的占空比与V
降
(V
OUT
= 2.5V @ 50 ℃）的
3.5
电压降（V）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200mA
150mA
占空比（ ％ ）
器件的占空比与V
降
(V
OUT
= 2.5V @ 85°C ）
3.5
电压降（V）的
％ DC = 100
P
D（最大）
(V
IN
- V
OUT
)I
OUT
+ (V
IN
·
I
GND
)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
100mA
211mW
％ DC = 100
（ 4.2V - 2.5V ） 150毫安+ （ 4.2V
·
150μA)
％ DC = 85.54 ％
200mA
150mA
P
D（最大）
被假设为211mW 。
90
100
占空比（ ％ ）
12
3215.2006.05.1.6
AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
