ACE2342BM+H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACE2342BM+H
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 867 K
品牌：	ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]

ACE2342

N沟道增强型MOSFET

描述

该ACE2342是晶体管所产生的N沟道逻辑增强型功率场效应

采用高密度， DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。这些装置特别适用于低电压应用，如

蜂窝电话和笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路，并且低

直列中需要一个非常小的轮廓表面的功率损耗贴装封装。

特点



20V/5.0A,R

DS （ ON）

= 35mΩ @ V

=4.5V

20V/4.5A,R

DS （ ON）

= 40MΩ @ V

=2.5V

20V/4.0A,R

DS （ ON）

= 48mΩ @ V

=1.8V

超高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流能力

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

绝对最大额定值

= 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

=150℃)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号典型单位

DSS

GSS

英镑

θJA

±12

4.0

3.0

1.0

1.25

0.8

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

-55/150

℃

-55/150

℃

140

℃/W

1.3版本

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