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ACE2342BM+H 参数 Datasheet PDF下载

ACE2342BM+H图片预览
型号: ACE2342BM+H
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 867 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE2342
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ,除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
条件
STATIC
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=0.V, V
GS
=±12V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
= 0V牛逼
J
=55℃
V
DS
≧5V,
V
GS
=4.5V
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5.0A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=4.5A
V
GS
= 1.8V ,我
D
=4.0A
V
DS
= 15V ,我
D
=5.0A
I
S
= -1.0A ,V
GS
=0V
动态
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
D
≡5.0A
V
DS
=10V, V
GS
=0V,
f=1MHz
分钟。
20
0.4
典型值
马克斯。
单位
1.0
±100
1
10
V
nA
uA
A
6
0.026 0.035
0.029 0.040
0.035 0.048
30
0.8
10
1.4
2.1
600
120
100
15
25
60
65
40
40
45
30
1.2
13
Ω
S
V
nC
pF
V
DD
= 10V ,R
L
=10Ω
I
D
= 1.0A ,V
=4.5V
R
G
=6Ω
ns
1.3版本
3