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ACE3413BM+ 参数 Datasheet PDF下载

ACE3413BM+图片预览
型号: ACE3413BM+
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 168 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE3413
技术
电气特性
(TA=25
中,除非另有说明)
P沟道增强型MOSFET
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
nA
uA
A
S
V
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
-20
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
-0.35
-0.8
V
DS
=0.V, V
GS
=±12V
±100
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
-1
-5
V
DS
=-20V, V
GS
= 0V牛逼
J
=55℃
V
DS
≦-5V,
V
GS
=-4.5V
-6
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3.4A
0.076 0.095
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-2.4A
0.097 0.120
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-1.7A
0.123 0.145
V
GS
= -1.25V ,我
D
=-1.0A
0.185 0.210
V
DS
= -5.0V ,我
D
=-2.8A
6
I
S
= -1.5A ,V
GS
=0V
-0.8
-1.2
V
DS
=-6V, V
GS
=-4.5V,
I
D
≣-2.8A
V
DS
=-6V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
= -6V ,R
L
=6Ω
I
D
≡-1.0A,
V
=-4.5V
R
G
=6Ω
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
13
18
15
8
nC
pF
16
23
25
20
ns
1.2版本
3