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ACE4953B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ACE4953B
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 974 K
品牌: ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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ACE4953B
双P沟道增强型场效应晶体管
订购信息
ACE4953B XX + H
卤素 - 免费
铅 - 免费
FM : SOP- 8
电气特性
T
A
= 25°C除非另有说明
O
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管连续
当前
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
开启关闭上升时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
FS
V
SD
I
S
条件
STATIC
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.7A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250uA
V
DS
= -5V ,我
D
=-5.5A
V
GS
= 0V时,我
SD
=-1.7A
分钟。
-20
典型值。
马克斯。
单位
V
-1
100
45
51
65
-0.6
-0.8
13
-0.8
-1.1
1.7
55
58
80
-1.4
uA
nA
V
S
V
A
开关
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
动态
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=-10V, V
GS
=0V
f=1MHz
800
131
103
960
pF
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-10V,
R
L
=10Ω, R
=6Ω,
I
D
=-1A
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
D
=-4.5A
8.92
1.8
2.04
16.08
5.28
37.6
7.28
11.6
2.34
2.65
32.16
10.56
75.2
14.5
ns
nC
注:A, R值
θJA
测量其上安装有1 * 1英寸FR-4板2盎司铜的设备,在静止空气环境
以T
A
= 25°C 。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
B.重复等级,脉冲宽度有限的结温。
C的电流额定值是基于T≤ 10秒结点到环境的热阻评级。
1.2版本
2