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    ACE8202B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE8202B图片预览
    型号： ACE8202B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管， ESD保护 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 651 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ACE8202B的Datasheet PDF文件第7页  
    ACE8202B
    双N沟道增强型场效应晶体管， ESD保护
    订购信息
    ACE8202B XX + H
    卤素 - 免费
    铅 - 免费
    NN ： DFN3 * 3-8L
    电气特性
    T
    A
    = 25 ℃ ，除非另有说明。
    参数
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅极电压漏极电流
    最大体二极管
    连续电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    二极管的正向电压
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    STATIC
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    S
    R
    DS （ ON）
    政府飞行服务队
    V
    SD
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    TD （上）
    tr
    TD （关闭）
    tf
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250微安
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =250uA
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±12V
    V
    DS
    =20V, V
    GS
    =0V
    MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
    20
    0.4
    0.65
    6.5
    1
    10
    1
    2.5
    V
    uA
    uA
    A
    mΩ
    S
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =8A
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    =7A
    V
    DS
    =5V,I
    D
    =7A
    I
    SD
    = 2.5A ，V
    GS
    =0V
    开关
    15.7
    26
    34
    0.77
    11
    21
    35
    1
    V
    V
    DS
    =10V, V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =7A
    2
    3.2
    300
    nC
    V
    GS
    = 5V ，R
    L
    =2.5Ω, V
    DS
    =10V,
    R
    根
    =3Ω
    动态
    600
    790
    440
    920
    nS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    西塞
    科斯
    CRSS
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    = 10V ， F = 1MHz的
    155
    75
    pF
    1.2版本
    2

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