ProASIC3器件系列简介
先进的闪存技术
ProASIC3系列提供了许多好处,包括通过非易失性和可重编程
一个先进的基于闪存的, 130纳米LVCMOS过程七层金属。标准CMOS
设计技术来实现逻辑和控制功能。精致的结合
粒度,增强灵活的路由资源,以及丰富的闪光灯开关允许非常高
逻辑利用率不影响设备的路由能力和性能。在逻辑功能
该装置是通过一个四路由层次互连。
先进的架构
该专利的ProASIC3架构提供粒度媲美标准单元ASIC 。该
ProASIC3器件包括五个不同的和可编程的建筑特色(图
和
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FPGA VersaTiles
专用的FlashROM
专用SRAM / FIFO存储器
†
丰富的幼儿中心和PLL
先进的I / O结构
BANK 0
CCC
RAM块
4,608位双端口
SRAM或FIFO模块*
银行1
BANK 0
BANK 0
I / O的
多才多艺
银行1
ISP AES
解密*
用户非易失
FLASHROM
银行1
电荷泵
*
不支持的A3P015和A3P030器件
图1-1 •
ProASIC3器件架构概述与两个I / O插槽( A3P015 , A3P030 , A3P060和
A3P125)
†的A3P015和A3P030不支持PLL或SRAM 。
v1.0
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