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APL502J 参数 Datasheet PDF下载

APL502J图片预览
型号: APL502J
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内容描述: 线性MOSFET [LINEAR MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 76 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
120
I
D
,漏极电流(安培)
APL502J
120
VGS = 10 , 15V
I
D
,漏极电流(安培)
VGS = 10V , 15 V
100
8V
80
7.5 V
60
40
7V
6.5 V
6V
5.5 V
0
100
8V
80
7.5 V
60
7V
40
20
0
6.5 V
6V
5.5 V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3,低输出特性
1.30
归一
= 10V @ 26A
V
GS
20
80
I
D
,漏极电流(安培)
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
0
50
100
150
200
250
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图2 ,高输出特性
1.20
1.10
VGS=10V
60
40
1.00
0.90
VGS=20V
20
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
0.80
0.70
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
BV
DSS
(ON ) ,漏极 - 源极击穿
电压(归)
0
20
40
60
80
100
120
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
60
I
D
,漏极电流(安培)
1.15
50
1.10
40
1.05
30
20
1.00
10
0
0.95
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
25
0.90
-50
0
50
100
150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
050-5897修订版B
8-2003