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APL502J 参数 Datasheet PDF下载

APL502J图片预览
型号: APL502J
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内容描述: 线性MOSFET [LINEAR MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 76 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
2.5
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
I
V
D
APL502J
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
= 26A
= 12V
GS
2.0
1.1
1.0
0.9
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
208
100
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
30,000
100µS
C,电容(pF )
I
D
,漏极电流(安培)
50
10,000
5,000
西塞
10
5
1mS
10mS
100mS
科斯
1,000
500
CRSS
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
5 10
50 100
500
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
DC线
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
SOT- 227 ( ISOTOP
®
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
8-2003
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*资料来源
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
尺寸以毫米(英寸)
050-5897修订版B
ISOTOP
®
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。