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APT20GN60BDQ1G 参数 Datasheet PDF下载

APT20GN60BDQ1G图片预览
型号: APT20GN60BDQ1G
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内容描述: IGBT [IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 434 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
APT20GN60BDQ1(G)
超快软恢复反并联二极管
最大额定值
符号
I
F( AV )
I
F( RMS )
I
FSM
符号
V
F
特性/测试条件
最大平均正向电流(T
C
= 129 ° C,占空比= 0.5 )
RMS正向电流(方波,占空比为50% )
非重复正向浪涌电流(T
J
= 45 ° C, 8.3ms的)
特性/测试条件
I
F
= 20A
正向电压
I
F
= 40A
I
F
= 20A ,T
J
= 125°C
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20GN60BDQ1(G)
单位
安培
15
30
110
典型值
最大
单位
静态电气特性
2.18
2.76
1.75
-
典型值
最大
单位
ns
nC
动态特性
符号
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
特征
测试条件
反向恢复时间I = 1A ,的di / dt = -100A / μs的,V = 30V , T = 25℃
F
F
R
J
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
1.40
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
0.3
D = 0.9
15
19
21
2
105
250
5
55
420
15
-
-
I
F
= 15A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 400V ,T
C
= 25°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
安培
ns
nC
安培
ns
nC
安培
I
F
= 15A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 400V ,T
C
= 125°C
I
F
= 15A ,二
F
/ DT = -1000A /微秒
V
R
= 400V ,T
C
= 125°C
0.7
0.5
注意:
PDM
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图24A 。最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳与脉冲持续时间
遥控模型
0.676
动力
(瓦特)
0.504
外壳温度。 ( ° C)
0.00147
图24B ,瞬态热阻抗模型
050-7615
0.0440
REV A
7-2005
连接点
TEMP 。 ( ° C)