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APT20M18B2VFR 参数 Datasheet PDF下载

APT20M18B2VFR图片预览
型号: APT20M18B2VFR
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内容描述: 功率MOS V FREDFET [POWER MOS V FREDFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 155 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M18B2VFR_LVFR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 150V
I
D
= 100A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 150V
I
D
= 100A @ 25°C
R
G
= 0.6Ω
典型值
最大
单位
9880
2320
700
330
55
145
18
27
55
6
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
典型值
最大
单位
安培
V / ns的
ns
µC
安培
100
400
1.3
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -100A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -100A,
di
/
dt
= 100A / μs)内
反向恢复电荷
(I
S
= -100A,
di
/
dt
= 100A / μs)内
峰值恢复电流
(I
S
= -100A,
di
/
dt
= 100A / μs)内
230
450
0.9
3.4
11
20
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 600μH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 100A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性,而不是
设备本身。
IS
-
ID
100A
di
/
dt
200A/µs
VR
≤200V
TJ
150
°
C
6
的最大电流由铅温度的限制。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.25
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.20
0.9
0.15
0.7
0.5
0.3
注意:
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
5-2004
0.10
050-5906修订版A
0.05
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0