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APT20M18B2VFR 参数 Datasheet PDF下载

APT20M18B2VFR图片预览
型号: APT20M18B2VFR
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内容描述: 功率MOS V FREDFET [POWER MOS V FREDFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 155 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
I
D
,漏极电流(安培)
连接点
TEMP 。 ( ° C)
遥控模型
250
APT20M18B2VFR_LVFR
VGS = 15 V &10
7V
200
6.5V
150
6V
100
5.5V
50
5V
4.5V
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
0
0
0.0302
0.00809F
动力
(瓦特)
0.0729
0.0182F
0.0955
外壳温度。 ( ° C)
0.264F
图2 ,瞬态热阻抗模型
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
120
100
80
60
40
TJ = + 25°C
20
0
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
1.40
归一
= 10V @ 50A
V
GS
I
D
,漏极电流(安培)
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=10V
TJ = -55°C
VGS=20V
0
40 60 80 100 120 140 160 180
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
20
100
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
I
V
D
1.15
I
D
,漏极电流(安培)
80
1.10
60
1.05
40
1.00
20
0.95
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
0
25
0.90
-50
2.5
= 50A
= 10V
GS
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
2.0
1.5
1.0
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
-25
050-5906修订版A
5-2004