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APT32GU30B 参数 Datasheet PDF下载

APT32GU30B图片预览
型号: APT32GU30B
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 87 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT32GU30B
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 150V
I
C
= 15A
T
J
= 150℃ ,R
G
= 5Ω, V
GE
=
15V , L = 100μH ,V
CE
= 300V
电感式开关( 25 ° C)
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
4
5
典型值
最大
单位
1660
170
13
7.0
57
11
17
120
28
13
127
63
待定
36
66
28
13
155
119
待定
76
111
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
开关安全工作区
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量(二极管)
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 20Ω
T
J
= +25°C
µ
J
电感式开关( 125°C )
V
CC
= 200V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
R
G
= 20Ω
T
J
= +125°C
导通开关能量(二极管)
关断开关能量
6
µ
J
热和机械特性
特征
结到外壳( IGBT )
结到管壳(二极管)
包装重量
0.50
不适用
5.90
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备,I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 (参见图24 )
5 E
on2
是钳位感性开启能量,包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 (见图21 , 22 )
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 (见图21 , 23 )
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
050-7463
转 -
10-2003