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    APT32GU30B 参数 Datasheet PDF下载

    APT32GU30B图片预览
    型号： APT32GU30B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 87 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT32GU30B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT32GU30B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT32GU30B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT32GU30B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APT32GU30B的Datasheet PDF文件第6页  
    APT32GU30B
    30
    t
    D（上）
    ，导通延迟时间（纳秒）
    160
    V
    GE
    = 15V
    t
    D（关闭）
    ，关断延迟时间（纳秒）
    25
    20
    140
    120
    V
    GE
    =
    15V,T
    J
    =125°C
    V
    GE
    =
    15V,T
    J
    =25°C
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    V
    CE
    = 200V
    R
    G
    = 20Ω
    L = 100 μH
    15
    10
    V
    CE
    = 200V
    T
    J
    = 25 ° C，T
    J
    =125°C
    R
    G
    = 20Ω
    L = 100 μH
    5
    5
    0
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图9 ，导通延迟时间与集电极电流
    25
    R
    G
    =
    20Ω, L
    =
    100
    µ
    H，V
    CE
    =
    200V
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
    140
    120
    20
    t
    r,
    上升时间（纳秒）
    t
    f,
    下降时间（纳秒）
    100
    80
    60
    40
    20
    T
    =
    125°C ，V
    GE
    =
    10V或15V
    J
    15
    10
    T
    =
    25或125°C ，V
    GE
    =
    15V
    J
    T
    J
    =
    25 ° C，V
    GE
    =
    10V或15V
    5
    R
    =
    20Ω, L
    =
    100
    µ
    H，V
    CE
    =
    200V
    G
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图11 ，电流上升时间与集电极电流
    200
    E
    ON2
    ，开启能量损失（ μJ ）
    V
    CE
    = 200V
    L = 100 μH
    R
    G
    = 20Ω
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图12 ，电流下降时间与集电极电流
    300
    E
    关闭
    ，关闭能量损失（ μJ ）
    T
    =
    125°C ，V
    GE
    =
    10V或15V
    J
    0
    150
    T
    J
    = 125°C ，V
    GE
    =15V
    250
    200
    150
    100
    50
    T
    J
    =
    25 ° C，V
    GE
    =
    10V或15V
    V
    CE
    = 200V
    L = 100 μH
    R
    G
    = 20Ω
    100
    50
    T
    J
    = 25 ° C，V
    GE
    =15V
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
    400
    开关损耗（ μJ ）
    V
    CE
    = 200V
    V
    GE
    = +15V
    T
    J
    = 125°C
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
    300
    开关损耗（ μJ ）
    V
    CE
    = 200V
    V
    GE
    = +15V
    R
    G
    = 20Ω
    0
    E
    关闭
    30A
    E
    关闭
    30A
    250
    200
    300
    200
    E
    on2
    30A
    150
    E
    on2
    30A
    100
    50 E
    on2
    15A
    0
    E
    关闭
    7.5A
    E
    on2
    7.5A
    0
    E
    关闭
    15A
    10-2003
    100
    E
    关闭
    15A
    E
    关闭
    7.5A
    E
    on2
    15A
    转 -
    E
    on2
    7.5A
    0
    10 15 20 25 30 35 40 45 50
    R
    G
    ，栅极电阻（欧姆）
    图15 ，开关损耗与栅极电阻
    5
    050-7463
    25
    50
    75
    100
    125
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图16 ，开关损耗VS结温

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